Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 127 A, 100 V TO-220 IRFB4310ZPBF

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

4,54 €

(TVA exclue)

5,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 868 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 +2,27 €4,54 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
257-9349
Référence fabricant:
IRFB4310ZPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

127A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Maximum Drain Source Resistance Rds

15mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon IRFB series is the 100V single n channel strong IRFET power mosfet in a TO 220 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Industry standard through hole power package

High current rating

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Softer body diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

Liens connexes