Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 130 A, 100 V TO-220 IRFS4310TRLPBF
- N° de stock RS:
- 257-5795
- Référence fabricant:
- IRFS4310TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
7,07 €
(TVA exclue)
8,554 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,535 € | 7,07 € |
| 20 - 48 | 3,185 € | 6,37 € |
| 50 - 98 | 2,965 € | 5,93 € |
| 100 - 198 | 2,755 € | 5,51 € |
| 200 + | 2,55 € | 5,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-5795
- Référence fabricant:
- IRFS4310TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 130A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 130A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
High efficiency synchronous rectification
Lead-free
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4310PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 185 A TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 185 A TO-220 AUIRFB8405
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220