Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 130 A, 100 V TO-220 IRFS4310TRLPBF

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257-5795
Référence fabricant:
IRFS4310TRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

130A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

7mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

170nC

Maximum Power Dissipation Pd

330W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

High efficiency synchronous rectification

Lead-free

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