Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V TO-252 IRFR3710ZTRPBF

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

10,58 €

(TVA exclue)

12,80 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 425 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 202,116 €10,58 €
25 - 451,906 €9,53 €
50 - 1201,776 €8,88 €
125 - 2451,648 €8,24 €
250 +0,846 €4,23 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
257-5855
Référence fabricant:
IRFR3710ZTRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Width

2.39 mm

Height

10.41mm

Standards/Approvals

RoHS

Distrelec Product Id

304-40-539

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET power MOSFET is utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced process technology

Ultra low on-resistance

175°C operating temperature

Fast switching

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Multiple package options

Lead-free

Liens connexes