Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V, 3-Pin TO-252

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N° de stock RS:
214-4456
Référence fabricant:
IRFR3710ZTRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .

Its design is extremely efficient and reliable

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