Vishay Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V PowerPAK
- N° de stock RS:
- 256-7434
- Référence fabricant:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 256-7434
- Référence fabricant:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0149Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0149Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor N-channel 100 V (D-S) mosfet very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) applications synchronous rectification, primary side switch, DC, DC converter, solar micro inverter, motor drive switch, battery and load switch, industrial.
TrenchFET gen IV power mosfet
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
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