Vishay N-Channel MOSFET, 25 A, 30 V PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3

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N° de stock RS:
256-7430
Référence fabricant:
SIRA12DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0095Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Semiconductor N-channel 30 V 25A (Tc) 4.5W (Ta), 31W (Tc) surface mount iTime is halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition and its applications are high power density DC, DC, synchronous rectification, VRMs and embedded DC, DC.

TrenchFET gen IV power mosfet

100 % Rg and UIS tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

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