Vishay Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V TO-263 SIHB24N65E-GE3
- N° de stock RS:
- 256-7413
- Référence fabricant:
- SIHB24N65E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,95 € |
| 10 - 24 | 5,36 € |
| 25 - 99 | 5,08 € |
| 100 - 499 | 4,48 € |
| 500 + | 3,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 256-7413
- Référence fabricant:
- SIHB24N65E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.033Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.033Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor E series power mosfet have low figure of merit (FOM) Ron x Qg and low input capacitance (Ciss).
Reduced switching and conduction losses
Ultra low gate charge (Qg)
Avalanche energy rated (UIS)