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Vishay SQS484CENW N-Channel MOSFET, 16 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS484CENW-T1_GE3

N° de stock RS:: 200-6850
Référence fabricant:: SQS484CENW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQS484CENW N-Channel MOSFET, 16 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS484CENW-T1_GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 200-6850
Référence fabricant:: SQS484CENW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	SQS484CENW
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	40nC
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	3.4mm
	Width	1.12mm
	Length	3.4mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series SQS484CENW
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 3.4mm
	Width 1.12mm
	Length 3.4mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Document- SQS484CENW-T1_GE3

The Vishay SQS484CENW-T1_GE3 is a automotive N-channel 40V (D-S) 175°C MOSFET.

TrenchFET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

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