Vishay Type P-Channel MOSFET, 7.5 A, 20 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA413CEJW-T1_GE3

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252-0302
Référence fabricant:
SQA413CEJW-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PowerPAK SC-70W-6L

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.21mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

13.6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.1nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

2.05mm

Width

2.05 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

Wettable flank terminals

100 % Rg and UIS tested

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