Vishay Type P-Channel MOSFET, 7.5 A, 20 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA413CEJW-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 252-0302
- Référence fabricant:
- SQA413CEJW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,382 € | 9,55 € |
| 250 - 1225 | 0,358 € | 8,95 € |
| 1250 - 2475 | 0,324 € | 8,10 € |
| 2500 - 6225 | 0,305 € | 7,63 € |
| 6250 + | 0,286 € | 7,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 252-0302
- Référence fabricant:
- SQA413CEJW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | PowerPAK SC-70W-6L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.21mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 13.6W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 2.05mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type PowerPAK SC-70W-6L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.21mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 13.6W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 2.05mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.
TrenchFET power MOSFET
AEC-Q101 qualified
Wettable flank terminals
100 % Rg and UIS tested
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