Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -8.7 A, -40 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA489CEJW-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 735-227
- Référence fabricant:
- SQA489CEJW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
0,32 €
(TVA exclue)
0,39 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 05 novembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,32 € |
| 25 - 99 | 0,22 € |
| 100 + | 0,12 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 735-227
- Référence fabricant:
- SQA489CEJW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -8.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK SC-70W-6L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.1794Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 13.6W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 2.05mm | |
| Width | 2.05mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -8.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK SC-70W-6L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1794Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 13.6W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 2.05mm | ||
Width 2.05mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
Liens connexes
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA468CEJW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -80 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA437CEJW-T1_GE3
- Vishay SQA444CEJW Type N-Channel MOSFET 60 V, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA444CEJW-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 20 V Depletion, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA446CEJW-T1_GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA413CEJW-T1_GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA411CEJW-T1_GE3
- Vishay SQA462CEJW N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA462CEJW-T1_GE3
- Vishay SQA Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA407CEJW-T1_GE3