Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, -2.8 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06LMSATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

3,02 €

(TVA exclue)

3,655 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 930 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 +0,604 €3,02 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
250-0566
Référence fabricant:
ISP25DP06LMSATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-223

Series

ISP

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™ P-channel small signal MOSFETs 60V in SOT-223 package is the new technology targeted for consumer applications. The main advantage of a P-channel small signal device is the reduction of design complexity in medium and low power applications.

Easy interface to MCU

Fast switching

Avalanche ruggedness

Liens connexes