Infineon BSS N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS138WH6327XTSA1

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N° de stock RS:
250-0541
Référence fabricant:
BSS138WH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

280mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-323

Series

BSS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6000mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes SIPMOS Small-Signal-Transistor, N-channel, Enhancement mode. The device is dv /dt rated and Pb-free lead-plating. It has Vds of 60 V, Rds(on)max is 3.5 Ω and Id is 0.28 A. It is Halogen-free, P-channel Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

100% lead-free

Maximum power dissipation is 360mW

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