Infineon FS55MR12W1M1H_B11 Type N-Channel MOSFET, 15 A, 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY1B FS55MR12W1M1HB11NPSA1

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Référence fabricant:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

FS55MR12W1M1H_B11

Package Type

AG-EASY1B

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

114mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-10 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 60747, 60749 and 60068

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 1B 1200 V / 55 mΩ sixpack module with CoolSiC™ MOSFET with enhanced generation 1, NTC and PressFIT Contact Technology.

Low inductive design

Low switching losses

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

PressFIT contact technology

Integrated NTC temperature sensor

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