Infineon IMBF Type N-Channel MOSFET, 64 A, 100 V N, 7-Pin TO-263

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N° de stock RS:
249-6949
Référence fabricant:
IMBF170R450M1XTMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

64A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

IMBF

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon silicon carbide MOSFET reduction of system complexity. It directly drive from fly-back controller. Efficiency improvement and cooling effort reduction. Enabling higher frequency.

Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide

Optimized for fly-back topologies

12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers

Very low switching losses

Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V

Fully controllable dV/dt for EMI optimization

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