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Wolfspeed Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 C2M1000170J

N° de stock RS:: 915-8833
Référence fabricant:: C2M1000170J
Fabricant:: Wolfspeed

Wolfspeed Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 C2M1000170J

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Unité	Prix par unité	le paquet*
2 - 8	9,195 €	18,39 €
10 - 18	8,63 €	17,26 €
20 - 48	8,41 €	16,82 €
50 - 98	8,195 €	16,39 €
100 +	7,96 €	15,92 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 915-8833
Référence fabricant:: C2M1000170J
Fabricant:: Wolfspeed

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Wolfspeed
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1700V
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	78W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Forward Voltage Vf	3.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.23mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.57mm
	Width	10.99 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Wolfspeed
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1700V
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 78W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Forward Voltage Vf 3.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.23mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.57mm
	Width 10.99 mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

• Enhancement-mode N-channel SiC technology

• High Drain-Source breakdown voltages - up to 1200V

• Multiple devices are easy to parallel and simple to drive

• High speed switching with low on-resistance

• Latch-up resistant operation

Wolfspeed Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 C2M1000170J

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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