Infineon IMBF1 Type N-Channel MOSFET, 7.4 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IMBF170R650M1XTMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

10,56 €

(TVA exclue)

12,78 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 1 730 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 185,28 €10,56 €
20 - 484,80 €9,60 €
50 - 984,485 €8,97 €
100 - 1984,17 €8,34 €
200 +3,85 €7,70 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-4851
Référence fabricant:
IMBF170R650M1XTMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1700V

Series

IMBF1

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

650mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies connected to DC-link voltages 600 V up to 1000 V in numerous power applications.

Optimized for fly-back topologies

Extremely low switching loss

12 V / 0 V gate-source voltage compatible with fly-back controllers

Fully controllable dV/dt for EMI optimization

SMD package with enhanced creepage and clearance distances, > 7 mm

Liens connexes