Références fabricant

ROHM RCJ331N25 N-Channel MOSFET, 10.7 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263

N° de stock RS:: 249-1130
Référence fabricant:: RCJ331N25TL
Fabricant:: ROHM

ROHM RCJ331N25 N-Channel MOSFET, 10.7 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 249-1130
Référence fabricant:: RCJ331N25TL
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	10.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Series	RCJ331N25
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque ROHM
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Series RCJ331N25
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - RCJ331N25TL

The ROHM N channel power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application, has 250 V drain-source voltage and 33 A drain current, taping packing type.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating RoHs compliant

100 percent avalanche tested

Drive circuits can be simple

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