ROHM RCJ331N25 Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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249-1130
Référence fabricant:
RCJ331N25TL
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

RCJ331N25

Package Type

TO-263

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM N channel power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application, has 250 V drain-source voltage and 33 A drain current, taping packing type.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating RoHs compliant

100 percent avalanche tested

Drive circuits can be simple

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