ROHM R6520KNX3 Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6520KNX3C16

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249-1122
Référence fabricant:
R6520KNX3C16
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

R6520KNX3

Package Type

TO-220

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM high-speed switching N channel 650 V, 20 A drain current power MOSFET are high-speed switching products, super junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency, this series products achieve higher efficiency via high-speed switching, h

Low on-resistance

Ultra fast switching

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHs compliant

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