ROHM R6530KNX3 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6530KNX3C16
- N° de stock RS:
- 249-1126
- Référence fabricant:
- R6530KNX3C16
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
6,62 €
(TVA exclue)
8,02 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 74 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 3,31 € | 6,62 € |
| 50 - 98 | 3,12 € | 6,24 € |
| 100 - 248 | 2,66 € | 5,32 € |
| 250 - 498 | 2,61 € | 5,22 € |
| 500 + | 2,44 € | 4,88 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 249-1126
- Référence fabricant:
- R6530KNX3C16
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | R6530KNX3 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series R6530KNX3 | ||
Package Type TO-220 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM high-speed switching N channel 650 V, 30 A drain current power MOSFET are high-speed switching products, super junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency, this series products achieve higher efficiency via high-speed switching, h
Low on-resistance
Ultra fast switching
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHs compliant
Liens connexes
- ROHM R6530KNX3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM R6535KNX3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM R6520KNX3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM R6524KNX3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6524KNX3C16
- ROHM R6535KNX3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6535KNX3C16
- ROHM R6520KNX3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6520KNX3C16
- ROHM R6515KNX3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6515KNX3C16
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247