DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN61D9UDWQ-7
- N° de stock RS:
- 246-7520
- Référence fabricant:
- DMN61D9UDWQ-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
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- N° de stock RS:
- 246-7520
- Référence fabricant:
- DMN61D9UDWQ-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.37W | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.37W | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The DiodesZetex makes a dual N-channel enhancement mode MOSFET, designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in SOT363 packaging. It offers fast switching and high efficiency.
Maximum drain to source voltage is 60 Vand maximum gate to source voltage is ±20 V It offers a ultra-small package size It has low input/output leakage
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