DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET, 261 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN62D4LDW-7

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

1,10 €

(TVA exclue)

1,35 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 850 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 +0,022 €1,10 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-2844
Référence fabricant:
DMN62D4LDW-7
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

261mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

DMN

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.51nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.45W

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

The DiodesZetex Dual n-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Dual N-Channel MOSFET

Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Liens connexes