DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET, 217 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN66D0LDWQ-7

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222-2848
Référence fabricant:
DMN66D0LDWQ-7
Fabricant:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

217mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-363

Series

DMN

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

6Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Forward Voltage Vf

0.8V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.95mm

Length

2.15mm

Width

1.3 mm

Standards/Approvals

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Automotive Standard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

The DiodesZetex Dual N-channel enhancement mode MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.

Dual N-Channel MOSFET

Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

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