Références fabricant

DiodesZetex 2 Type N-Channel MOSFET, 20 V Enhancement, 6-Pin U-DFN2030

N° de stock RS:: 246-6788
Référence fabricant:: DMN2014LHAB-13
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex 2 Type N-Channel MOSFET, 20 V Enhancement, 6-Pin U-DFN2030

Sous-total (1 bobine de 10000 unités)*

1 300,00 €

(TVA exclue)

1 600,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
10000 +	0,13 €	1 300,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 246-6788
Référence fabricant:: DMN2014LHAB-13
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	U-DFN2030
	Pin Count	6
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	0.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±12 V
	Forward Voltage Vf	0.75V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type U-DFN2030
	Pin Count 6
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 0.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V
	Forward Voltage Vf 0.75V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - DMN2014LHAB-13

The DiodesZetex makes a new generation dual N-channel enhancement mode MOSFET, it has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN2030-6 packaging. It offers fast switching and high efficiency. It has working temperature range of -55°C to +150°C. It offers low input capacitance and fast switching speed.

Maximum drain to source voltage is 20 V and maximum gate to source voltage is ±16 V It offers low on-resistance and low gate threshold voltage ESD protected gate

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