Références fabricant

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

N° de stock RS:: 827-0462
Référence fabricant:: DMN2014LHAB-7
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

15,00 €

(TVA exclue)

18,00 €

(TVA incluse)

Ajouter 250 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite

Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.

En stock

Plus 2 950 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 février 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
50 +	0,30 €	15,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 827-0462
Référence fabricant:: DMN2014LHAB-7
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	UDFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	28mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.5nC
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Standards/Approvals	AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202
	Height	0.6mm
	Width	2.05 mm
	Length	3.05mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type UDFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 28mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.5nC
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Standards/Approvals AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202
	Height 0.6mm
	Width 2.05 mm
	Length 3.05mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

Ajouter 250 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Liens connexes

Recently viewed