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DiodesZetex Isolated 2 N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

N° de stock RS:: 165-8742
Référence fabricant:: DMN2014LHAB-7
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

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N° de stock RS:: 165-8742
Référence fabricant:: DMN2014LHAB-7
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	UDFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	28mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-12V, +12V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Height	0.6mm
	Length	3.05mm
	Width	2.05mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque DiodesZetex
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type UDFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 28mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -12V, +12V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Height 0.6mm
	Length 3.05mm
	Width 2.05mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: CN

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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