onsemi NTM Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V N, 5-Pin DFN-5
- N° de stock RS:
- 244-9183P
- Référence fabricant:
- NTMFS3D2N10MDT1G
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Sous-total 10 unités (conditionné en bande continue)*
31,10 €
(TVA exclue)
37,60 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 53 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 - 99 | 3,11 € |
| 100 - 499 | 2,70 € |
| 500 - 999 | 2,38 € |
| 1000 + | 2,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-9183P
- Référence fabricant:
- NTMFS3D2N10MDT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | DFN-5 | |
| Series | NTM | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 117W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Pb-Free, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type DFN-5 | ||
Series NTM | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 117W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Pb-Free, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor MOSFET used as Primary Switch in Isolated DC−DC Converter, Synchronous Rectification (SR) in DC−DC and AC−DC, AC−DC Adapters (USB PD) SR, Load Switch, Hotswap, O-ring Switch, BLDC Motor and Solar Inverter. Drain−to−Source Voltage and Gate−to−Source Voltage for this MOSFET is 100 V and ±20 V respectively.
Shielded Gate MOSFET Technology
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
Low QRR, Soft Recovery Body Diode
Low QOSS to Improve Light Load Efficiency
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS Compliant
Liens connexes
- onsemi N-Channel MOSFET 100 V, 5-Pin DFN5 NTMFS3D2N10MDT1G
- onsemi N-Channel MOSFET 100 V, 5-Pin DFN5 NTMFS3D6N10MCLT1G
- onsemi N-Channel MOSFET 100 V, 5-Pin DFN5 NTMFS015N10MCLT1G
- onsemi N-Channel MOSFET 100 V, 5-Pin DFN5 NTMFS002N10MCLT1G
- onsemi NTMFS N-Channel MOSFET 60 V, 5-Pin DFN5 NTMFS5C612NT1G-TE
- onsemi NTMFS N-Channel MOSFET 40 V, 5-Pin DFN5 NTMFS0D4N04XMT1G
- onsemi NTMFS N-Channel MOSFET 40 V, 5-Pin DFN5 NTMFS0D5N04XMT1G
- onsemi NTMFS N-Channel MOSFET 80 V, 5-Pin DFN5 NTMFS4D0N08XT1G
