Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD650P06NMATMA1

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N° de stock RS:
244-0880
Référence fabricant:
IPD650P06NMATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET OptiMOSTM Power Transistor has Pb-free lead plating, RoHS compliant and is halogen-free according to IEC61249-2-21.

P-Channel

Very low on-resistance RDS(on)

100% avalanche tested

Normal Level

Enhancement mode

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