Références fabricant

Infineon OptiMOSTM N-Channel Power MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8

N° de stock RS:: 273-2814
Référence fabricant:: ISC011N03L5SATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon OptiMOSTM N-Channel Power MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

1,87 €

(TVA exclue)

2,27 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Dernier stock RS

80 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 +	0,374 €	1,87 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 273-2814
Référence fabricant:: ISC011N03L5SATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PG-TDSON-8
	Series	OptiMOSTM
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	96W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	72nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PG-TDSON-8
	Series OptiMOSTM
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 96W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - ISC011N03L5SATMA1

The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET and optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC standard and halogen free according to IEC61249 2 21.

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Superior thermal resistance

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.