Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 400 A, 800 V, 8-Pin TO-263 IPT026N10N5ATMA1
- N° de stock RS:
- 244-0907
- Référence fabricant:
- IPT026N10N5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,50 € |
| 10 - 24 | 3,34 € |
| 25 - 49 | 3,18 € |
| 50 - 99 | 3,05 € |
| 100 + | 2,84 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-0907
- Référence fabricant:
- IPT026N10N5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 400A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | IPT | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 400A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series IPT | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon n-channel power MOSFET IPT026N10N5 in TO-Leadless (TOLL) package is ideally suited for high switching frequencies. With a 60% space reduction compared to D2PAK 7pin package, TOLL is the perfect solution where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.
Ideal for high frequency switching and sync rec
Excellent gate charge x RDS(on)product(FOM)
Very low on-resistance RDS(on)
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