Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 190 A, 319 V, 16-Pin TO-263

Sous-total (1 bobine de 1800 unités)*

7 441,20 €

(TVA exclue)

9 003,60 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1800 +4,134 €7 441,20 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
260-2669
Référence fabricant:
IPTC039N15NM5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

190A

Maximum Drain Source Voltage Vds

319V

Package Type

TO-263

Series

IPT

Pin Count

16

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.9mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.81V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

74nC

Maximum Power Dissipation Pd

319W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Width

10.3 mm

Length

10.1mm

Height

2.35mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET provides a cooling package for superior thermal performance with an innovative package combined with the key features of the technology which allows best in class products as well as high current rating for high-power density designs.

Increased system efficiency enabling extended battery life time

High power density

Superior thermal performance

Saving in cooling system

Liens connexes