Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 400 A, 800 V, 8-Pin TO-263 IPT020N10N5ATMA1
- N° de stock RS:
- 244-0904
- Référence fabricant:
- IPT020N10N5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
4,46 €
(TVA exclue)
5,40 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 1 780 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,46 € |
| 10 - 24 | 4,24 € |
| 25 - 49 | 4,15 € |
| 50 - 99 | 3,88 € |
| 100 + | 3,61 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-0904
- Référence fabricant:
- IPT020N10N5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 400A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 400A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Industrial power MOSFET IPT020N10N5 in TO-Leadless from Infineon is the ideal choice for high switching frequencies.
Ideal for high frequency switching and syncrec
Excellent gate charge x RDS(on)product(FOM)
Very low on-resistance RDS(on)
Very low on-resistance RDS(on)
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V D2PAK IPT020N10N5ATMA1
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin D2PAK AUIRFS3107TRL
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V D2PAK IPT026N10N5ATMA1
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V D2PAK IRLS4030TRLPBF
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin D2PAK IPB120N10S405ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V, 7-Pin D2PAK IPB017N10N5ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin D2PAK IPB35N10S3L26ATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin D2PAK IPB100N10S305ATMA1
