Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263 IAUT300N08S5N014ATMA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

4,36 €

(TVA exclue)

5,28 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
En stock
  • 3 985 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 94,36 €
10 - 244,14 €
25 - 493,96 €
50 - 993,79 €
100 +3,53 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
244-0893
Référence fabricant:
IAUT300N08S5N014ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IAUT

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 Specifically designed for Automotive applications, this Cellular Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

N-channel - Enhancement mode

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Liens connexes

Recently viewed