Nexperia Type P-Channel MOSFET, 30.6 A, 12 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXP3R7-12QUJ

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243-4888
Référence fabricant:
PXP3R7-12QUJ
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

30.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

MLPAK33

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Nexperia P-channel enhancement mode field effect transistor (FET) in a MLPAK33 (SOT8002) surface mounted device (SMD) plastic package having trench MOSFET technology.

Low threshold voltage

Trench MOSFET technology

High-side load switch

Battery management

DC-to-DC conversion

Switching circuits

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