Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V N, 3-Pin TO-263

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N° de stock RS:
242-5826
Référence fabricant:
IPB60R045P7ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

273A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon super junction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

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