Microchip MSC090SMA070B Type N-Channel MOSFET, 20 A, 700 V TO-247 MSC090SMA070B
- N° de stock RS:
- 241-9273
- Référence fabricant:
- MSC090SMA070B
- Fabricant:
- Microchip
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- N° de stock RS:
- 241-9273
- Référence fabricant:
- MSC090SMA070B
- Fabricant:
- Microchip
Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Series | MSC090SMA070B | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 2 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Series MSC090SMA070B | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 2 V | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.
Low capacitances and low gate charge
Fast switching speed due to low internal gate resistance
Stable operation at high junction temperature TJ(max) equal to 175 °C
Fast and reliable body diode
Superior avalanche ruggedness
RoHS compliant
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