Microchip mSiC N-Channel MOSFET, 46 A, 700 V, 4-Pin TO-247-4 MSC060SMA070B4N
- N° de stock RS:
- 813-822
- Référence fabricant:
- MSC060SMA070B4N
- Fabricant:
- Microchip
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- N° de stock RS:
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- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-247-4 | |
| Series | mSiC | |
| Mount Type | Screw | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 3.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Width | 23.6mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Length | 16.13mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-247-4 | ||
Series mSiC | ||
Mount Type Screw | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 3.7V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.21mm | ||
Width 23.6mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Length 16.13mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Microchip High efficiency N Channel MOSFET designed for superior performance in demanding applications. This robust device operates at 700V with low on-resistance for optimal power management.
AEC-Q101 qualified option enhances reliability in automotive applications
Low capacitances contribute to reduced switching losses
Fast switching speed ensures efficient performance in power systems
Stable operation at high junction temperatures maximises longevity
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