STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

134,94 €

(TVA exclue)

163,29 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 60 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 +4,498 €134,94 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
240-0613
Référence fabricant:
STWA32N65DM6AG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

STW

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

320W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

40.92mm

Width

15.8 mm

Height

5.1mm

Standards/Approvals

UL

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

AEC-Q101 qualified

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) x area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely dv/dt ruggedness

Zener-protected

Liens connexes