STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET, 92 A Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA65N023M9

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275-1385
Référence fabricant:
STWA65N023M9
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

92A

Package Type

TO-247

Series

STW

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

23mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

230nC

Maximum Power Dissipation Pd

463W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium or high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super junction power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

Excellent switching performance

Easy to drive

100 percent avalanche tested

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