Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 78.4 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR586DP-T1-RE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 638,00 €

(TVA exclue)

1 983,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,546 €1 638,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
239-5391
Référence fabricant:
SiR586DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

78.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiR

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0058Ω

Maximum Power Dissipation Pd

71.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

6.15mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 78.4 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes