Toshiba Type N-Channel MOSFET, 168 A, 75 V, 8-Pin SOP TPH2R608NH,L1Q(M
- N° de stock RS:
- 236-3629
- Référence fabricant:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Fabricant:
- Toshiba
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
3,56 €
(TVA exclue)
4,31 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 5 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,712 € | 3,56 € |
| 50 - 495 | 0,704 € | 3,52 € |
| 500 - 995 | 0,696 € | 3,48 € |
| 1000 - 2495 | 0,686 € | 3,43 € |
| 2500 + | 0,678 € | 3,39 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 236-3629
- Référence fabricant:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Fabricant:
- Toshiba
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 168A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | SOP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.6mΩ | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.95mm | |
| Length | 6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 168A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type SOP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.95mm | ||
Length 6mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Toshiba MOSFET made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in high efficiency DC-DC converters and switching voltage regulators applications.
High speed switching
Liens connexes
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 75 V, 8-Pin SOP
- Toshiba TPHR8504PL Type N-Channel MOSFET 40 V EnhancementL1Q(M
- Toshiba TPH1R306PL Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementL1Q(M
- Toshiba TPH1R306PL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOP
- Toshiba TPHR8504PL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOP
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementL1Q(M
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSON
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOP