Toshiba TPH1R306PL Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOP TPH1R306PL,L1Q(M

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206-9790
Référence fabricant:
TPH1R306PL,L1Q(M
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TPH1R306PL

Package Type

SOP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

91nC

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5 mm

Height

0.9mm

Standards/Approvals

No

Length

6mm

Automotive Standard

No

The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties. It is mainly used in high-efficiency DC-DC converters, switching voltage regulators and motor drivers.

Low drain-source on-resistance 1.0 m?

Storage temperature -55 to 175°C

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