Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN14006NH,L1Q(M

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

4,82 €

(TVA exclue)

5,83 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 1 790 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 +0,482 €4,82 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
171-2385
Référence fabricant:
TPN14006NH,L1Q(M
Fabricant:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

30W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.85mm

Length

3.1mm

Width

3.1 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Statut RoHS : Exempté

Switching Voltage Regulators

Motor Drivers

DC-DC Converters

High-speed switching

Small gate charge: QSW = 5.5 nC (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11 mΩ (typ.)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

Liens connexes