ROHM QH8KC6 Type N-Channel MOSFET, 5.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QH8KC6TCR

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 161,00 €

(TVA exclue)

1 404,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,387 €1 161,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
235-2669
Référence fabricant:
QH8KC6TCR
Fabricant:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

QH8KC6

Package Type

TSMT-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

30mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.1mm

Width

0.85 mm

Height

2.9mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM dual N channel MOSFET which supports 60V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations. This product consists of a low on-resistance N channel MOSFET which is reduced 58%. This contributes to low power consumption of various devices.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen Free

Liens connexes