ROHM RQ7L055BG Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 40 V Enhancement TSMT-8 RQ7L055BGTCR
- N° de stock RS:
- 246-3955
- Référence fabricant:
- RQ7L055BGTCR
- Fabricant:
- ROHM
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TSMT-8 | |
| Series | RQ7L055BG | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TSMT-8 | ||
Series RQ7L055BG | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Nch power MOSFET which are available in small surface mount package and can be used in switching applications.
Low on - resistance
Small surface mount package (TSMT8)
Pb-free plating
RoHS compliant
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