ROHM QH8KB6 N-Channel MOSFET, 8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QH8KB6TCR

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N° de stock RS:
235-2665
Référence fabricant:
QH8KB6TCR
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Series

QH8KB6

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

8 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

40 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

TSMT-8

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

1.2 V

Height

2.9 mm

Length

3.1 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

17.7 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

1.5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

10.6 nC

Width

850 μm

The ROHM dual N channel MOSFET which supports 40V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations. This product consists of a low on-resistance N channel MOSFET which is reduced 58%. This contributes to low power consumption of various devices.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen Free

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