Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 36 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R060M1HXKSA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

26,56 €

(TVA exclue)

32,14 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 239 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 426,56 €
5 - 925,24 €
10 - 2424,70 €
25 - 4923,11 €
50 +21,52 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
233-3489
Référence fabricant:
AIMW120R060M1HXKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31nC

Forward Voltage Vf

5.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

16.3mm

Width

21.5 mm

Standards/Approvals

No

Height

5.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon CoolSiC MOSFETs for Automotive family has been developed for current and future on board charger and DC-DC applications in hybrid and electric vehicles. It has 36 A drain current.

Efficiency improvement

Enabling higher frequency

Increased power density

Cooling effort reduction

Liens connexes