Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 52 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Sous-total (1 tube de 240 unités)*

4 153,20 €

(TVA exclue)

5 025,36 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
240 +17,305 €4 153,20 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
233-3486
Référence fabricant:
AIMW120R035M1HXKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

5.2V

Maximum Power Dissipation Pd

228W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

16.3mm

Height

5.3mm

Width

21.5 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon CoolSiC MOSFETs for automotive family has been developed for current and future on board Charger and DC-DC applications in hybrid and electric vehicles. It has 52 A drain current.

Efficiency improvement

Enabling higher frequency

Increased power density

Cooling effort reduction

Liens connexes