onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V N, 3-Pin TO-252 NTD600N80S3Z
- N° de stock RS:
- 229-6456
- Référence fabricant:
- NTD600N80S3Z
- Fabricant:
- onsemi
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 229-6456
- Référence fabricant:
- NTD600N80S3Z
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | SUPERFET III | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series SUPERFET III | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor SUPERFET III series MOSFET enables to make more efficient, compact, cooler and more robust applications because of its remarkable performance in switching power applications such as laptop adapter, audio, lighting, ATX power and industrial power supplies.
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
ESD improved capability with Zener diode
Optimized capacitance
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