Références fabricant

Littelfuse X4 Type N-Channel MOSFET, 220 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-268

N° de stock RS:: 229-1435
Référence fabricant:: IXTT220N20X4HV
Fabricant:: Littelfuse

Littelfuse X4 Type N-Channel MOSFET, 220 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-268

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

553,59 €

(TVA exclue)

669,84 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 05 avril 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le tube*
30 +	18,453 €	553,59 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 229-1435
Référence fabricant:: IXTT220N20X4HV
Fabricant:: Littelfuse

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Littelfuse
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	220A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-268
	Series	X4
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	157nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	800W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	4.5V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.1mm
	Height	19.1mm
	Length	16.05mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Littelfuse
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 220A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-268
	Series X4
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 157nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 800W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 4.5V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.1mm
	Height 19.1mm
	Length 16.05mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IXTT220N20X4HV

The Littlefuse IXTT220N20X4HV MOSFETs are designed with the latest Ultra Junction technology for high efficiency power applications. They are available in TO-247 and TO-268HV Packages. They offer lower RDS(on) simultaneously with reduced gate and output charges, which allows for more efficient switching at given frequency.

Low gate charge

Low RDS(on)

Low RthJC

Operating temperature is 175°C

High avalanche rating (900mJ - 1J)

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.