Références fabricant

onsemi NVMFS5C N-Channel MOSFET, 268 A, 40 V Enhancement, 5-Pin DFN

N° de stock RS:: 221-6755
Référence fabricant:: NVMFS5C420NT1G
Fabricant:: onsemi

onsemi NVMFS5C N-Channel MOSFET, 268 A, 40 V Enhancement, 5-Pin DFN

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 221-6755
Référence fabricant:: NVMFS5C420NT1G
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	268A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	DFN
	Series	NVMFS5C
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	82nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	5.3mm
	Width	1.1mm
	Length	6.3mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 268A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type DFN
	Series NVMFS5C
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 5.3mm
	Width 1.1mm
	Length 6.3mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - NVMFS5C420NT1G

The ON Semiconductor automotive power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. It available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Low RDS(on) to minimize conduction losses

Low QG and capacitance to minimize driver losses

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.